RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
22.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3962
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link