RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3825
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link