RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3983
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link