RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2445
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link