RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
66
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2038
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link