RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
76
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1513
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link