RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2912
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link