RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2843
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link