RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
59
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2597
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link