RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3525
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link