RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2539
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link