RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2741
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link