RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
59
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2589
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link