RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3011
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link