RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2527
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link