RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2900
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link