RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3145
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link