RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2814
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link