RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2267
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link