RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2267
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link