RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3100
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link