RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
59
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3120
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link