RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3233
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link