RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3332
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link