RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3680
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link