RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3402
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link