RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3524
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link