RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3717
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link