RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3340
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link