RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3879
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link