RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3889
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link