RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3773
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link