RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3091
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link