RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3835
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link