RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
24
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
24.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4156
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1608DT1TX0. 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link