RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4114
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link