RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3773
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link