RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3773
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link