RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3773
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link