RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3773
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link