RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4053
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link