RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4053
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link