RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4394
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link