RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3431
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link