RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
91
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.1
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
91
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1214
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link