RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2675
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link