RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
59
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3047
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link