RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3501
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link