RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3413
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link