RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
77
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
77
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1440
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link