RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2104
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL10-8GBXL 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link