RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
93
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
93
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1670
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link