RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2175
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link