RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2302
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link