RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3372
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link